半导体和晶圆

reflectCONTROL偏折法测量系统用于检测150毫米晶圆的平整度或平面度。这些系统只需一个图像即可测量平面度。为此，传感器将条纹图案投射到晶圆上，并由集成相机记录。晶圆上的几何偏差会导致条纹图案变形，并由软件进行评估。传感器可提供高精度的反射表面3D图像，并以此为基础确定拓扑结构，精度可达微米级。

电容位移传感器用于精确测量晶圆厚度。两个相对的传感器不仅能检测厚度，还能确定挠度或锯痕等其他参数。晶圆在测量间隙中的位置可以变化。

Micro-Epsilon的激光轮廓扫描仪用于检测硅锭的几何形状。这些设备可检测硅棒的完整几何形状。这能在分离前确定硅块的几何偏差。硅锭通常带有定向凹槽，这对于硅锭的准直是必不可少的。Micro-Epsilon的蓝色激光扫描仪用于检测这些槽口的轮廓尺寸精度。它们能高精度地记录缺口轮廓。

光谱共焦传感器扫描晶圆表面以检测弯曲、翘曲和变形。confocalDT控制器的测量速率为 70 kHz，可进行高动态测量，并在较短的周期内检测晶圆。

为了自动检测和测量锯痕，使用了Micro-Epsilon的光谱共焦传感器。控制器的快速表面补偿功能可调节曝光周期，以便在具有不同反射特性的表面上实现最大的信号稳定性。由于Micro-Epsilon的光谱共焦传感器可以承受较大的倾斜角，并提供极小的光斑，因此可以可靠地检测晶片上的锯痕和其他压痕。

Micro-Epsilon的光谱共焦位移传感器用于检测凸起。它们在晶圆上产生一个小光斑，同时以高分辨率可靠地检测最小的部件和结构。因此，为了接触目的，可以可靠地测量凸起的形状和尺寸。

在处理晶圆时，精确和可重复的定位至关重要。在晶圆进料过程中，两个optoCONTROL激光千分尺检查直径，从而确定水平位置。由于高测量速率和精度，这些千分尺提供了可靠的位置信息。根据两个千分尺的相对位置，可以检测不同的晶圆直径。

光刻工艺要求对机器运动进行高分辨率和长期稳定的测量，以达到最高精度。利用 Micro-Epsilon 的电容传感器，高分辨率可实现掩膜的纳米级精确定位。其真空适用设计使传感器和电缆能够在超高真空环境中使用。

光刻工艺要求对机器运动进行高分辨率和长期稳定的测量，以达到最高精度。Micro-Epsilon 的 IMS5400 白光干涉仪采用特殊的评估算法和主动温度补偿，可实现纳米级精度的掩膜定位。传感器、电缆和电缆套管可在真空环境中使用。

光谱共焦传感器用于单面层厚测量。光谱共焦测量原理可评估多个信号峰值，从而确定透明材料的厚度。通过多峰测量功能，confocalDT控制器可以可靠地确定保护涂层和镀层的厚度。

电容位移传感器用于晶圆台的精细定位任务。这些传感器可测量平台上不同点的位置，尤其适用于精细对准。由于其三轴设计，传感器对电磁场不敏感，分辨率可达纳米级。此外，传感器具有极高的长期稳定性。非接触式传感器设计用于真空范围，也可用于UHV范围。

非接触式电涡流传感器可测量透镜元件的位置，以实现尽可能高的成像精度。根据透镜系统的不同，Micro-Epsilon 的位移传感器可用于检测多达 6 个自由度的移动和位置。eddyNCDT 传感器具有高频响应，还能监测镜头系统的高动态运动。

为了照亮晶圆上的各个元件，光刻设备将晶圆移动到相应的位置。电容位移传感器测量移动路径的位置，以实现纳米级精确定位。

Micro-Epsilon的非接触式传感器用于晶圆台的位置监控，测量其高速动态XYZ运动。电容和电涡流传感器可达到纳米分辨率，以确保晶圆在曝光过程中精确定位。这些创新的传感器可用于真空应用，对强磁场不敏感。

Micro-Epsilon的白光干涉仪IMS5600用于晶圆台位置监测。它以极高的加速度测量晶圆台XYZ方向的运动。高精度光学测量系统的分辨率可达纳米级，可确保晶片在曝光时的定位精度达到纳米级。由于采用了适用于真空的测量头，测量系统可以在真空中使用，并且对强磁场不敏感。

电容位移传感器测量透镜架的倾斜角度，精度达到纳米级。由于高精度测量，确保可重复的投影。多个传感器测量金属载体。其极高的分辨率能够实现精确的晶圆曝光。

光谱共焦传感器用于测量透镜的准直。有多种传感器可直接在透镜上进行测量，以纳米级精度检测倾斜角度。与电磁传感器不同，光谱共焦传感器即使在玻璃表面也能可靠地测量。由于测量速率高，即使镜头移动的动态变化也能可靠地检测。

硅锭上通常会有定位槽口，这是硅锭准直所必需的。Micro-Epsilon的蓝色激光扫描仪用于检查槽口轮廓的尺寸精度。它们以高精度检测槽口轮廓。扫描仪在硅锭上滑动，并确定高精度的轮廓数据。创新的蓝色激光技术可实现高信号稳定性的测量采集。

Micro-Epsilon的光谱共焦传感器用于检测晶圆上的裂纹和其他缺陷。由于具有快速表面补偿功能，它们能可靠地检测具有不同反射特性的表面。极小的光斑和高分辨率能可靠地检测晶圆上最细微的异常。

环形锯用于切割硅锭。为了可靠地分离硅锭，使用电涡流传感器对锯条或支架进行监控。四个传感器在无接触的情况下测量锯条与支架之间的距离。由于高频率响应和对灰尘和污垢不敏感，传感器可提供可靠的锯条轴向偏差测量值。这确保了硅片的均匀切割。

线锯用于一步式切割锭体。由于线锯易受磨损，因此使用非接触式电涡流传感器在多个点监控锯床。这些传感器不仅能检测导辊上的线材高度，还能检测线材下垂度，从而快速、高精度地检测线材磨损情况。这种坚固耐用的测量原理对灰尘和污垢不敏感，能够获得高分辨率的测量结果。

线锯用于一步式切割锭体。由于线锯易受磨损，因此使用非接触式电涡流传感器在多个点监控锯床。这些传感器不仅能检测导辊上的线锯高度，还能检测线材下垂度，从而快速、高精度地检测线锯磨损情况。这种坚固耐用的测量原理对灰尘和污垢不敏感，能够获得高分辨率的测量结果。

晶圆的准确位置在晶圆处理中起着重要的作用。在晶圆进料过程中，白光干涉仪测量晶圆的水平倾斜角。两个干涉仪测量晶片。Micro-Epsilon的白光干涉仪可提供亚纳米分辨率的绝对距离值。该测量可确保在拾取和移除晶片时获得最高的位置精度。

光谱共焦传感器从两侧测量厚度偏差（总厚度变化）和晶圆厚度。基于晶圆厚度轮廓，可以检测晶圆的弯曲和翘曲。高测量速率可在短周期内检测整个晶圆的厚度。