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interferoMETER IMS5420-TH

高精度硅片厚度测量

用于高精度晶圆检测的白光干涉仪

IMS5420是一款高性能白光干涉仪,用于非接触式测量单晶硅片的厚度。控制器配有一个宽带超发光二极管 (SLED),波长范围为 1,100 nm。这样仅用一个测量系统就能测量未掺杂、掺杂和高掺杂SI晶片的厚度。IMS5420 的信号稳定性小于 1 nm。厚度测量距离为 24 毫米。

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特点

  1. 未掺杂、掺杂和高掺杂晶片的纳米精确厚度测量
  2. 多峰值:最多采集 5 层,SI 厚度为 0.05 至 1.05 毫米
  3. Z 轴分辨率高达 1 nm
  4. 测量速率高达6 kHz,可实现快速测量
  5. 以太网/EtherCAT/RS422/PROFINET/EtherNet/IP
  6. 通过web界面轻松实现参数化
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Jiang Zhu
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精密晶圆厚度测量

由于硅片在1100nm波长范围内的光学透明度,IMS5420干涉仪可以精确检测厚度。在此波长范围内,未掺杂硅片和掺杂硅片都具有足够的透明度。因此,可以检测到高达1.05毫米的晶片厚度。气隙的可测量厚度甚至可达4毫米。

IMS5420干涉仪能够测量未掺杂、掺杂和高掺杂硅片的厚度,因此应用范围非常广泛。该晶片厚度测量系统非常适合测量几何厚度为500 至 1050 µm、掺杂度高达6 m Ω cm的单晶硅晶片。即使是高掺杂的晶片,也能测量到 0.8 毫米的厚度。这是因为透明度随着掺杂量的增加而降低。

研磨过程中厚度的精确测量

在晶片制造中,晶体硅锭被切割成约1毫米的薄片。然后对薄片进行研磨,以获得所需的厚度和表面光洁度。为了实现较高的工艺稳定性,干涉仪被用于研磨机的在线厚度测量。由于其紧凑的设计,传感器也可以集成在有限的安装空间。厚度值可用于机器控制以及晶片的质量控制。

型号 测量范围/
量程起点
线性度 可测量层数 应用领域
IMS5420-TH24 0.05...1.05毫米(硅,n=3.82)
0.2...4毫米(空气,n=1)/约24毫米,工作范围约为6毫米
<±100nm 1层 在线厚度测量,例如研磨或抛光后。
IMS5420MP-TH24 <一层±100nm
<±200nm用于附加层
最多5层 在线厚度测量,例如用于涂层后涂层厚度的质量控制
IMS5420/IP67-TH24 <±100nm 1层 研磨过程中的工业在线厚度测量

 

Modern interfaces for integration into machines and systems

The controller offers integrated interfaces such as Ethernet, EtherCAT and RS422 as well as additional encoder connections, analog outputs, synchronization inputs and digital I/Os. When you use Micro-Epsilon's interface modules, PROFINET and EthernetIP are available. This allows the interferometer to be integrated into all control systems and production programs.

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