用于高精度晶圆检测的白光干涉仪
IMS5420 是一款高性能白光干涉仪，用于单晶硅晶圆的非接触式厚度测量。控制器配备波长范围达 1100 nm 的宽带超辐射发光二极管（SLED）。这使得仅需一套测量系统即可实现对未掺杂、掺杂及高掺杂硅晶圆的厚度测量，且信号稳定性优于 1 nm。根据不同的应用场景，还可提供配具备大偏移距离及带空气吹扫系统的传感器。
精确测量晶圆厚度
由于硅片在 1100nm 波长范围内的光学透明度，IMS5420 干涉仪可以精确检测厚度。在此波长范围内，未掺杂硅片和掺杂硅片都具有足够的透明度。因此，可以检测到高达 1.05 毫米的晶片厚度。气隙的可测量厚度甚至可达 4 毫米。
IMS5420 干涉仪可实现对未掺杂、掺杂及高掺杂硅晶圆的厚度测量，应用范围广泛。该晶圆厚度测量系统特别适用于几何厚度为 500 至 1050 µm、掺杂浓度高达 6 m Ω cm 的单晶硅晶圆。即使随着掺杂度增加导致透明度下降，该系列传感器仍可测量厚度达 0.8 mm 的高掺杂晶圆。
研磨过程中的精确厚度测量
在晶圆制造过程中，晶体硅锭被切割成约 1 mm 厚的薄片。随后，这些晶圆经过研磨和抛光，以达到所需的厚度及表面质量。为实现稳定且可重复的过程控制，interferoMETER 在线厚度测量系统被直接集成至研磨和抛光设备中。所测得的厚度值既用于设备控制，也用于对每片晶圆的质量检测。
紧凑型 IMP-NIR-TH24 传感器
IMP NIR TH24 传感器以其仅 10 mm 的直径和 24 mm 的长工作距离，成为现有设备改造的理想之选。可调安装适配器（JMA）显著简化了集成过程，即使存在微小的安装偏差或倾斜也能实现可靠补偿。传感器及光纤电缆均可根据需求提供超高真空环境的 UHV 版本。
新品：坚固型 IMP-NIR-TH3/90/IP68 传感器
IMP-NIR-TH3/90/IP68 传感器的加入进一步丰富了产品线，专为极端严苛的安装环境与恶劣工况设计的高性能传感器。该传感器采用 90° 光束路径，工作距离仅 3 mm，完美适配狭窄安装空间。凭借其坚固的 IP68 防护等级外壳，同样适用于如浆料研磨等特别严苛的应用。内置的空气吹扫装置可持续清洁光束路径，防止污染，从而确保即使在重度污染的环境中仍能保持恒定的测量精度。
适用于严苛测量任务的多种型号
| 型号 | 工作距离 / 测量范围 | 线性度 | 可测量层数 | 应用领域 |
|---|---|---|---|---|
| IMS5420-TH | 工作距离 IMP-NIR-TH24 约 24 mm (21 ... 27 mm) | IMP-NIR-TH3/90/IP68 约 3 mm (1 ... 6 mm) / 0.05 ... 1.05 mm (硅 / n=3.82)，0.2 ... 4 mm (空气，n=1) |
< ±100 nm | 1 层 | 在线厚度测量，如研磨或抛光后。 |
| IMS5420MP | 单层 < ±100 nm 其他层 < ±200 nm |
最多 5 层 | 在线厚度测量，如涂层后的膜厚质量控制。 | |
| IMS5420/IP67 | 工作距离 IMP-NIR-TH24 约 24 mm (21 ... 27mm) / 0.05 ... 1.05 mm (硅 / n=3.82), 0.2 ... 4 mm (空气，n=1) |
< ±100 nm | 1 层 | 工业在线厚度测量，适用于研磨和抛光过程。 |
| IMS5420/IP67MP-TH | 单层 < ±100 nm 其他层 < ±200 nm |
最多 5 层 | 工业在线厚度及多层测量，适用于研磨和抛光过程。 |
适用于集成到机器和系统中的现代化接口
该控制器集成了以太网、EtherCAT 和 RS422 等接口，并配备额外的编码器接口、模拟输出、同步输入和数字 I/O。若使用 Micro-Epsilon 的接口模块，还可支持 PROFINET 和 EthernetIP。这使得干涉仪能够集成到所有控制系统和生产程序中。
