用于高精度晶圆检测的白光干涉仪
IMS5420 是一款高性能白光干涉仪，用于非接触式测量单晶硅片的厚度。控制器配有一个宽带超发光二极管 (SLED)，波长范围为 1,100 nm。这样仅用一个测量系统就能测量未掺杂、掺杂和高掺杂 SI 晶片的厚度。IMS5420 的信号稳定性小于 1 nm。厚度测量距离为 24 毫米。
精确测量晶圆厚度
由于硅片在 1100nm 波长范围内的光学透明度，IMS5420 干涉仪可以精确检测厚度。在此波长范围内，未掺杂硅片和掺杂硅片都具有足够的透明度。因此，可以检测到高达 1.05 毫米的晶片厚度。气隙的可测量厚度甚至可达 4 毫米。
IMS5420干涉仪能够测量未掺杂、掺杂和高掺杂硅片的厚度，因此应用范围非常广泛。该晶片厚度测量系统非常适合测量几何厚度为500 至 1050 µm、掺杂度高达6 m Ω cm的单晶硅晶片。即使是高掺杂的晶片，也能测量到 0.8 毫米的厚度。这是因为透明度随着掺杂量的增加而降低。
研磨过程中厚度的精确测量
在晶片制造中，晶体硅锭被切割成约 1 毫米的薄片。然后对薄片进行研磨，以获得所需的厚度和表面光洁度。为了实现较高的工艺稳定性，干涉仪被用于研磨机的在线厚度测量。由于其紧凑的设计，传感器也可以集成在有限的安装空间。厚度值可用于机器控制以及晶片的质量控制。
适用于严苛测量任务的多种型号
| 型号 | 工作距离 / 量程起点 | 线性度 | 可测量层数 | 应用领域 |
|---|---|---|---|---|
| IMS5420-TH | 工作距离 IMP-NIR-TH24 约24毫米（21...27毫米） | IMP-NIR-TH3/90/IP68 约3毫米（1...6毫米）/ 0.05 ... 1.05 毫米（硅材料/折射率n=3.82），0.2 ... 4 毫米（空气介质，折射率n=1） |
< ±100 nm | 1层 | 在线厚度测量，例如研磨或抛光后。 |
| IMS5420MP | <一层±100nm <±200nm用于附加层 |
最多5层 | 在线厚度测量，例如用于涂层后涂层厚度的质量控制 | |
| IMS5420/IP67 | 工作距离 IMP-NIR-TH24 约24毫米（21...27毫米）/0.05...1.05毫米（硅材质/折射率n=3.82），0.2...4毫米（空气介质，折射率n=1） |
< ±100 nm | 1层 | 研磨过程中的工业在线厚度测量 |
| IMS5420/IP67MP-TH | <一层±100nm <±200nm用于附加层 |
最多5层 | 工业在线厚度与多层测量技术在研磨与抛光过程中的应用 |
Modern interfaces for integration into machines and systems
The controller offers integrated interfaces such as Ethernet, EtherCAT and RS422 as well as additional encoder connections, analog outputs, synchronization inputs and digital I/Os. When you use Micro-Epsilon's interface modules, PROFINET and EthernetIP are available. This allows the interferometer to be integrated into all control systems and production programs.
